芯片存储行业每日动态（9月18日）

搜集范围：2026年9月17日 07:54 — 9月18日 07:54，全球芯片存储行业重要动态，按重要性从高到低排序。

1. 美股存储巨头集体大涨：美光涨超5%、SK海力士与闪迪涨超4%

9月17日美股，存储芯片板块强势反弹：美光涨约5.5%（盘中一度涨超6%）、SK海力士涨超4%、闪迪涨约5%。油价回落与美债收益率下行改善科技股整体情绪，存储板块回补本周初因"AI降速"言论引发的跌幅；道指涨0.46%、纳指涨1.56%。

来源：中国证券报、Investment Digger

2. 美光高管：AI 内存需求持续增长，新增产能要到2028年才释放

美光 CEO 高级顾问 Sumit Sadana 表示，当前各类内存均供应紧张，AI 训练、推理及智能体 AI、物理 AI 持续推高需求；美光2027财年资本支出预计超过450亿美元，但受建厂周期与技术复杂度制约，实质性新增供应预计2028年才开始释放——中期供需紧张格局再获原厂确认。

来源：每日经济新闻

3. 铠侠CEO再次澄清：不会推进与SK海力士生产合作，承诺抑制存储涨价

铠侠 CEO 太田裕雄最新表态，将不会推进与SK海力士的生产合作，称该合作与铠侠-闪迪合资生产业务难以协调；同时承诺抑制存储价格涨幅，认为"把价格抬得太高最终会损害自身市场和增长"。

来源：财联社

4. SK海力士在 AI Infra Summit 2026 发布面向AI基础设施的完整存储方案

SK海力士在硅谷 AI 基础设施峰会上展示全线 AI 存储产品矩阵，覆盖 HBM4、企业级 SSD（eSSD）、HBF、PIM（存内计算）及 SALT-KV 等方案；峰会同时将"内存短缺"列为核心障碍，HBF 容量可达 HBM 的16倍等新型架构引发关注。

来源：SK hynix Newsroom、快科技

5. 三星押注 zHBM：2.5D 内存逼近物理极限，垂直堆叠成下一代方向

DIGITIMES 报道，三星正全力押注垂直堆叠的 zHBM 架构，以突破传统 2.5D 架构的物理限制，系统级目标是将 AI 响应吞吐量从约100提升至1000 tokens/秒/用户，为下一代 AI 推理性能储备技术路线。

来源：DIGITIMES

6. 美光印度封测厂量产爬坡：2027年产能扩至数亿枚，首批"印度造"内存已交付戴尔

美光预计2026年在印度萨南德首座封装测试工厂组装测试数千万枚芯片，2027年扩至数亿枚；首批印度本土制造的内存模组已交付戴尔用于印度市场笔记本电脑。CEO Sanjay Mehrotra 称产能已超印度笔记本市场所需，供应链本土化提速。

来源：CFM闪存市场

7. 苹果2027年存储采购价落定：DRAM 约2美元/Gb、NAND 约0.33美元/Gb，较三季度涨30%~40%

海外媒体进一步确认苹果已同意按上述价格采购，涨幅达30%~40%。市场关注该协议是否推动 iPhone、iPad、Mac 进一步提价；三星2026年三季度报价显示 LPDDR4X 约1.4美元/Gb、LPDDR5X 约1.5美元/Gb、NAND 约0.26美元/Gb。

来源：IT时代网、界面新闻（36氪）

8. 日韩存储三巨头开盘跳水，SK海力士就英特尔谈判再发官方回应

9月17日日韩股市，SK海力士、三星、铠侠高开后跳水转跌（海力士-1.02%、三星-0.2%、铠侠-0.89%）。SK海力士官网回应与英特尔在美生产存储的报道：正探索多种选项增强全球竞争力，但尚未确定具体计划；DIGITIMES 补充称其正考虑租赁英特尔俄亥俄园区部分设施。

来源：中国证券报、DIGITIMES

其他值得关注：DDR5 16Gb 现货价 9月17日继续小幅上涨0.73%至55.23美元（TrendForce）；黄仁勋称英伟达明年芯片销量将为今年两倍。

一句话总结：存储股在本周初的 AI 减速恐慌后强势修复，原厂口径（美光新增产能2028年才释放、苹果接受30%~40%涨价）再次确认供需紧张的中期逻辑；技术面 HBM 正朝 zHBM、HBF 等新架构演进，而铠侠"不涨价"立场与 SK海力士在美建厂传闻构成供给端的两大变数。