存储市场简讯：DDR5现货价续涨，黄仁勋称英伟达明年芯片销量翻倍
DDR5 16Gb现货价9月17日续涨0.73%至55.23美元；黄仁勋称英伟达明年芯片销量将为今年两倍。
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日韩存储三巨头开盘跳水，SK海力士就英特尔谈判再发官方回应
日韩存储三巨头开盘跳水转跌，SK海力士官网回应在美生产存储传闻：正探索选项但尚未确定具体计划。
苹果2027年存储采购价落定：DRAM约2美元/Gb、NAND约0.33美元/Gb
海外媒体确认苹果同意按约2美元/Gb（DRAM）、0.33美元/Gb（NAND）采购，涨幅达30%~40%。
美光印度封测厂量产爬坡：首批“印度造”内存已交付戴尔
美光预计2026年在印度萨南德封测工厂组装测试数千万枚芯片，首批印度本土制造的内存模组已交付戴尔。
三星押注zHBM：垂直堆叠成下一代HBM方向
三星全力押注垂直堆叠的zHBM架构以突破2.5D物理限制，目标将AI响应吞吐量提升至1000 tokens/秒/用户。
SK海力士发布面向AI基础设施的完整存储方案
SK海力士在AI基础设施峰会展示全线AI存储产品矩阵，覆盖HBM4、eSSD、HBF、PIM及SALT-KV等方案，并将内存短缺列为核心障碍。
铠侠CEO再次澄清：不会推进与SK海力士生产合作，承诺抑制存储涨价
铠侠CEO太田裕雄表示不会推进与SK海力士的生产合作，并承诺抑制存储价格涨幅。
美光高管：AI内存需求持续增长，新增产能要到2028年才释放
美光CEO高级顾问表示各类内存供应紧张，2027财年资本支出预计超450亿美元，实质性新增供应预计2028年才释放。
美股存储巨头集体大涨：美光涨超5%、SK海力士与闪迪涨超4%
9月17日美股存储板块强势反弹，美光涨约5.5%、SK海力士与闪迪涨超4%，回补本周初因AI降速言论引发的跌幅。
芯片存储行业每日动态（9月18日）
存储股强势修复，原厂确认供需紧张中期逻辑：美光新增产能2028年才释放、苹果接受30%~40%涨价；HBM正朝zHBM、HBF等新架构演进。